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半浮柵晶體管問(wèn)世,中國首次領(lǐng)跑微電子領(lǐng)域

2013.08.12
       89日,由復旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛教授領(lǐng)銜團隊研發(fā)的世界第一個(gè)半浮柵晶體管(SFGT)研究論文刊登于《科學(xué)》雜志,這是我國科學(xué)家首次在該權威雜志發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的研究成果。而意義更大的是,這種新型晶體管將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù)。 

     目前,DRAM、SRAM和圖像傳感器技術(shù)的核心專(zhuān)利基本上都是被美光、三星、Intel、索尼等國外公司控制。“在這些領(lǐng)域,中國大陸具有自主知識產(chǎn)權且可應用的產(chǎn)品幾乎沒(méi)有。國外集成電路廠(chǎng)商常會(huì )以高價(jià)將落后一到兩代的技術(shù)淘汰給中國企業(yè),而中國曾經(jīng)有DRAM制造企業(yè),由于與先進(jìn)工藝存在一代半以上的技術(shù)差距而缺乏市場(chǎng)競爭力,現在已經(jīng)不再做DRAM產(chǎn)品。“半浮柵晶體管”的發(fā)明意味著(zhù),中國頭一次趕在了國際大企業(yè)之前,在微電子領(lǐng)域里頭一回“領(lǐng)跑”,是我國在新型微電子器件技術(shù)研發(fā)上的一個(gè)里程碑。

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